- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Home
>
Products > Tantalum Carbide Coating > SiC Single Crystal Incrementum Processus Parce Partibus
Sinae SiC Single Crystal Incrementum Processus Parce Partibus fabrica, supplementum, Factory
VeTek producti semiconductoris, tantalum carbide (TaC) producta efficiens pro Processu SiC Unius Crystal Incrementum, provocationes alloquitur, quae cum incremento carbidi siliconis (SiC) crystallorum coniunguntur, praecipue defectibus comprehensivis qui in ore cristalli occurrunt. Applicando TaC efficiens, studemus ut meliorem cristallum incrementum qualitatem augeamus et efficax area centri crystalli, quod ad obtinendum ieiunium et grossum incrementum pendet.
TaC efficiens est nucleus solutionis technologicae ad crescendum qualitatem altae SiC unius cristalli incrementi processum. Feliciter technologiam technologiam efficiens technologiam chemicam depositionem vaporum (CVD), quae ad gradum internationalem provectum pervenit. TaC eximias proprietates habet, incluso summo puncto liquescens usque ad 3880°C, praestantes vires mechanicas, duritiem, et scelestas resistentiae impulsus. Etiam bonam chemicam inertiam et thermas stabilitatem praebet, cum calidis et substantiis calidis ac substantiis ut ammonia, hydrogenio, et silicon-continens vaporem exhibet.
VeTek Semiconductoris tantalum carbida (TaC) efficiens solutionem praebet ad quaestiones extremitates relatas in Processu Crystal SiC Unius, augens qualitatem et efficientiam e processu incrementi. Cum technologiae nostrae provectae TaC efficiens, studemus progressionem semiconductoris tertiae generationis sustinere ac dependentiam ab importatis clavibus materiae reducere.
PVT methodum SiC Processus cristallinus Single incrementum partium parce;
TaC Coated Crucible, Semen Holder cum TaC Coating, TaC Coing Guide Ring sunt partes principales in SiC et AIN singula fornax crystallina per modum PVT.
Clavis Feature:
Maximum temperatus resistentia
— Casti- tas, non sordent SiC rudis Materias et SiC unica Crystalla.
-Resistant ad Al vapor et N₂corrosion
Maximum eutectic temperies (cum AlN) ad breviorem cycli praeparationis crystallum.
- Recyclable (usque ad 200h), meliorem sustineri et efficaciam praeparationis talium crystallorum simplicium.
TaC Coating Characteres
Typicam physicam proprietatibus Tac Coating
| Corporalis proprietatibus TaC coating | |
| Density | 14.3 (g/cm³) |
| Imprimis emissivity | 0.3 |
| Scelerisque expansion coefficientes | 6.3 10-6/K |
| Duritia (HK) | 2000 HK |
| Resistentia | 1×10-5 Ohm*cm |
| Scelerisque status | <2500℃ |
| Graphite magnitudine mutationes | -10~-20um |
| Crassitudo coating | ≥20um valorem typicum (35um±10um) |
- View as
Tantalum Carbide Ring
Cum professionalis innovator et dux Tantalum Carbide Coated Ring products in Sina, VeTek semiconductor Tantalum Carbide Coated Ring munus irreparabile ludit in crystallo SiC incrementum cum excellentia sua caliditas resistentia, resistentia et optima scelerisque conductivity gerunt. Excipe ulteriorem consultationem tuam.
Lege plusMitte Inquisitionem
CVD TaC Coating Ringo
VeTek Semiconductoris CVD TaC Coating Anulus valde opportunus designatus est ad requisita carbidi Pii (SiC) processuum cristallorum postulatorum. CVD TaC Coating Ring praestantem praebet excellentem temperaturam resistentiam et chemica inertness, quae optimam electionem facit pro ambitibus elevatis temperaturis et condicionibus mordoribus distinctis. Commissa sunt ad comparandas qualitates productorum in pretia competitive et expectamus ut particeps tua diu-terminus sit. apud Sinas.
Lege plusMitte Inquisitionem
Rara Graphite cum TaC Coated
Porous Graphite cum TaC Coated est processus semiconductor provectae materiae a VeTek Semiconductor praeditae. Porous Graphite cum TaC Coated coniungit commoda graphitae rariae et tantalum carbide (TaC) efficiens, cum bona conductivity scelerisque et gas permeabilitatis. VeTek Semiconductor committitur ad comparandas qualitates productorum in pretia competitive, et expectamus diuturnum tempus socium tuum in Sinis esse.
Lege plusMitte Inquisitionem
Tantalum Carbide Coated tube ad Crystal Augmentum
VeTek Semiconductor est Tantalum Carbide Coated Tube ducens pro Crystal Incremento opificem et innovatorem in China. Specializati sumus in ceramic tunica per multos annos. Producta nostra altam puritatem et caliditatem resistentiae habent. Expectamus ut diuturnum tempus socium tuum fieri expectamus. apud Sinas.
Lege plusMitte Inquisitionem
TaC Coated Guide Ring
VeTek Semiconductor princeps TaC Coated Guide Orbis opificem et innovatorem in Sinis. Specializati sumus in ceramico per multos annos. TaC Coated Guide Ring principaliter usi sunt ad airflow regere et regere, augere fructum unius cristalli incrementi. Gratum est nos quaerere ulteriores notitias.
Lege plusMitte Inquisitionem
TaC Coated Graphite Wafer Portitorem
VeTek Semiconductor est Graphite Wafer Carrier opificem et innovatorem in China ducens TaC Coated. Specialitas in SiC et TaC tunica per multos annos facta est. Nostra TaC graphio laganum emissarium altiorem temperiem resistentem et repugnantem indutum habet. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.
Lege plusMitte Inquisitionem
Pro professionalis SiC Single Crystal Incrementum Processus Parce Partibus fabrica et elit in Sinis, habemus officinam nostram. Utrum officia nativus ad proprias regionis tuae necessitates occurrere vel in SiC Single Crystal Incrementum Processus Parce Partibus in Sinis factas et longas emere voles, nuntium nobis relinquere potes.
