VeTek producti semiconductoris, tantalum carbide (TaC) producta efficiens pro Processu SiC Unius Crystal Incrementum, provocationes alloquitur, quae cum incremento carbidi siliconis (SiC) crystallorum coniunguntur, praecipue defectibus comprehensivis qui in ore cristalli occurrunt. Applicando TaC efficiens, studemus ut meliorem cristallum incrementum qualitatem augeamus et efficax area centri crystalli, quod ad obtinendum ieiunium et grossum incrementum pendet.
TaC efficiens est nucleus solutionis technologicae ad crescendum qualitatem altae SiC unius cristalli incrementi processum. Feliciter technologiam technologiam efficiens technologiam chemicam depositionem vaporum (CVD), quae ad gradum internationalem provectum pervenit. TaC eximias proprietates habet, incluso summo puncto liquescens usque ad 3880°C, praestantes vires mechanicas, duritiem, et scelestas resistentiae impulsus. Etiam bonam chemicam inertiam et thermas stabilitatem praebet, cum calidis et substantiis calidis ac substantiis ut ammonia, hydrogenio, et silicon-continens vaporem exhibet.
VeTek Semiconductoris tantalum carbida (TaC) efficiens solutionem praebet ad quaestiones extremitates relatas in Processu Crystal SiC Unius, augens qualitatem et efficientiam e processu incrementi. Cum technologiae nostrae provectae TaC efficiens, studemus progressionem semiconductoris tertiae generationis sustinere ac dependentiam ab importatis clavibus materiae reducere.
TaC Coated Crucible, Semen Holder cum TaC Coating, TaC Coing Guide Ring sunt partes principales in SiC et AIN singula fornax crystallina per modum PVT.
Maximum temperatus resistentia
— Casti- tas, non sordent SiC rudis Materias et SiC unica Crystalla.
-Resistant ad Al vapor et N₂corrosion
Maximum eutectic temperies (cum AlN) ad breviorem cycli praeparationis crystallum.
- Recyclable (usque ad 200h), meliorem sustineri et efficaciam praeparationis talium crystallorum simplicium.
Corporalis proprietatibus TaC coating | |
Density | 14.3 (g/cm³) |
Imprimis emissivity | 0.3 |
Scelerisque expansion coefficientes | 6.3 10-6/K |
Duritia (HK) | 2000 HK |
Resistentia | 1×10-5 Ohm*cm |
Scelerisque status | <2500℃ |
Graphite magnitudine mutationes | -10~-20um |
Crassitudo coating | ≥20um valorem typicum (35um±10um) |
VeTek Semiconductor est Graphite Wafer Carrier opificem et innovatorem in China ducens TaC Coated. Specialitas in SiC et TaC tunica per multos annos facta est. Nostra TaC graphio laganum emissarium altiorem temperiem resistentem et repugnantem indutum habet. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.
Lege plusMitte Inquisitionem