Rara Graphite cum TaC Coated

Porous Graphite cum TaC Coated est processus semiconductor provectae materiae a VeTek Semiconductor praeditae. Porous Graphite cum TaC Coated coniungit commoda graphitae rariae et tantalum carbide (TaC) efficiens, cum bona conductivity scelerisque et gas permeabilitatis. VeTek Semiconductor committitur ad comparandas qualitates productorum in pretia competitive, et expectamus diuturnum tempus socium tuum in Sinis esse.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

VeTek Semiconductor Sinarum fabrica & supplementum est qui maxime graphium porosum cum TaC bitumine multis annis experientiae producit. Spero te aedificare negotium necessitudinem cum.

VeTek Semiconductor Porous Graphite cum TaC Coated materia est materia fabricationis semiconductor revolutionalis quae perfecte componit graphitum porosum cum tantali carbide (TaC) efficiens. Haec Graphite Porous cum TaC Coated materia egregiam permeabilitatem et porositatem habet, cum maximam 75% porositatem, an internationalis industriae recordum ponens. Summus puritas TaC efficiens non solum corrosionem auget et resistentiam graphitis raris induunt, sed etiam stratum additicium praesidii praebet, efficaciter provocationes solvendas sicut processus et corrosio.

Usus graphitici porosi TaC-elati potest signanter emendare efficientiam et qualitatem processus fabricationis semiconductoris. Praeclara eius permeabilitas stabilitatem materiae sub calidis conditionibus sustinet et efficaciter augendis sordibus carbonis moderatur. Eodem tempore, consilium altum porositas praebet melius gas diffusionem perficiendi ad adiuvandum conservandum purum incrementum environment.

Nos mandavimus ut clientes praestantibus Graphite Porous Porous cum TaC Coated materiae necessitatibus occurreret industriae semiconductoris fabricandae. Sive in investigationibus laboratorios sive in productione industriae, haec materialia provecta adiuvare potest ad praeclaram observantiam et constantiam. Contactus nos hodie ut plura de hac materia novanda discamus et iter tuum innovationis incipias ad fabricandum semiconductorem ejicere.

PVT methodo Sic Crystal Incrementum

Product parametri Porous Graphite cum TaC Coated

Corporalis proprietatibus TaC coating
Density	14.3 (g/cm³)
Imprimis emissivity	0.3
Scelerisque expansion coefficientes	6.3 10-6/K
Duritia (HK)	2000 HK
Resistentia	1×10-5 Ohm*cm
Scelerisque status	<2500℃
Graphite magnitudine mutationes	-10~-20um
Crassitudo coating	≥20um valorem typicum (35um±10um)