Sinae Sic Epitaxy Processus fabrica, supplementum, Factory

VeTek Semiconductor unica carbida tunicarum superiorum tutelam partium graphitarum in Processu SiC Epitaxy praebent pro processu exigendi materias semiconductores et compositas semiconductores. Effectus graphite extenditur ad vitam componentem, conservationem reactionis stoichiometriae, inhibitionis immunditiae migrationis ad epitaxiam et cristallum applicationum incrementum, inde in aucta cede et qualitate.

Nostra tantalum carbida (TaC) coatings fornacem criticam et reactorem partium in calidis calidis (usque ad 2200°C) custodiunt, ab ammoniacis calidis, hydrogenii, vaporibus et metallis liquefactis. VeTek Semiconductor amplis graphite processui et mensurae facultates habet ad occursum tuum requisitis nativus, ut mercedem fucatam vel plenam servitutem offerre possimus, cum machinarum peritiarum turma nostra parata est ad solutionem rectam pro te ac applicatione tua specifica. .

Compone semiconductor crystallorum

VeTek Semiconductor specialem TaC coatings variis componentibus et vectoribus praebere potest. Per VeTek Semiconductoris industriam efficiens processum ducens, TaC coating potest altam puritatem, caliditatem stabilitatem et altam chemicam resistentiam obtinere, ita productum qualitatem crystalli TaC/GaN) et EPl stratis emendans, et vitam reactoris criticae componentium amplificans.

Scelerisque insulators

SiC, GaN et AlN cristallum incrementum componentium cum vasculis, seminibus detentoribus, deflectentibus et sparguntur. Congregationes industriales inter elementa calefacientia resistentia, nozzles, annulos protegentes et adfixa aerea, GaN et SiC epitaxiales CVD reactor componentes inter laganum baiulum, scuta satelles, capita imbres, pileos et bases, MOCVD composita.

Propositum:

DUXERIT (Lux Emittens Diode) Wafer Portitorem

ALD(Semiconductor) Susceptor

EPI Susceptor(SiC Epitaxy Process)

TaC iactaret Satellite Susceptor TaC Coating Susceptor & Ring TaC Coating partes Halfmoon Parts with TaC Coating

Comparatio SiC Coating et TaC Coating:

	Sic	Tac
Marisque	Ultra puritatem, Excellens Plasma resistentia	Excellent caliditas stabilitatis (conformantia processus caliditas)
Puritas	>99.9999%	>99.9999%
Densitas (g/cm III)	3.21	15
Duritia (kg/mm 2)	2900-3300	6.7-7.2
Resistentia [Ωcm]	0.1-15,000	<1
Scelerisque conductivity (W/m-K)	200-360	22
Coefficiens expansio scelerisque (10-6/)	4.5-5	6.3
Applicationem	Semiconductor Equipment Ceramic fig (Focus Ring, Shower Head, Dummy Wafer)	SiC Unius crystalli incrementum, Epi, UV partes DUXERIT Equipment

View as

Tantalum Carbide Coated Halfmoon Pars LPE

VeTek Semiconductor est magna-scala Tantalum Carbide Coated Halfmoon Partem LPE fabricae et innovatoris in China. Specialitas in TaC coating per multos annos facta est. Nostra producta temperaturae supra 2000 gradus Celsium potest sustinere, vitae spatium consumabilium prorogare. ut diu-terminus tuus particeps in Sinis factus sit.

Lege plus Mitte Inquisitionem

Tantalum Carbide Coated Planetarium gyrationis Orbis

VeTek Semiconductor ducens Tantalum Carbide Coated Planetarium gyrationis Orbis opificem et innovatorem in China. Nos specializati in ceramic tunica per multos annos. Producta nostra altam puritatem et caliditatem resistentiae habent. Expectamus ut diuturnum tempus socium tuum deceat. Cinna.

Lege plus Mitte Inquisitionem

<...3 4 5 6 7 >

Pro professionalis Sic Epitaxy Processus fabrica et elit in Sinis, habemus officinam nostram. Utrum officia nativus ad proprias regionis tuae necessitates occurrere vel in Sic Epitaxy Processus in Sinis factas et longas emere voles, nuntium nobis relinquere potes.