- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Industria News
Societates Sinenses parem 5nm astularum cum Broadcom elaborarunt!
Secundum transmarinas nuntios duo fontes die 24 Iunii revelati ByteDance laborat cum instrumento instrumenti US societatis Broadcom ad progressum intelligentiae artificialis explicandum (AI) processum computandum, qui ByteDance adiuvabit sufficientem copiam summi finis xxxiii inter tensiones inter S......
Lege plus
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-inch SiC xxxiii exspectantur in productione mense Decembri mittendae!
Cum fabrica primarius in industria Sic, motus Optoelectronics Sanan cognatus magnam diligentiam in industria suscepit. Nuper Sanan Optoelectronics seriem recentium evolutionum quae involvit 8-inch transformationum, novarum fabricarum subiectarum effectio, novarum societatum instauratio, subsidiorum ......
Lege plus
Applicatio TaC-Coated Graphite Partibus in Singulis Crystal Furnaces
In incremento SiC et AlN singulae crystallis utentes modum onerarii physici vaporum (PVT) methodi cruciales, qualia sunt uasculum, semen possessor et anulus ductor munus vitale exercent. Depingitur in Figura 2 [1], durante processu PVT, semen crystallum in regione temperatura inferiore collocatur, d......
Lege plus
Diversae technicae itinera incrementum SiC epitaxial fornacem
Pii carbida subiecta multos defectus habent et directe processi non possunt. Unius cristallina tenuis pellicula specifica indiget ut in illis crescat per processum epitaxialem ut lagana spumam faciant. Haec pellicula tenuis epitaxialis iacuit. Fere omnes machinae carbidae pii in materia epitaxiali e......
Lege plus
