In incremento SiC et AlN singulae crystallis utentes modum onerarii physici vaporum (PVT) methodi cruciales, qualia sunt uasculum, semen possessor et anulus ductor munus vitale exercent. Depingitur in Figura 2 [1], durante processu PVT, semen crystallum in regione temperatura inferiore collocatur, d......
Lege plusPii carbida subiecta multos defectus habent et directe processi non possunt. Unius cristallina tenuis pellicula specifica indiget ut in illis crescat per processum epitaxialem ut lagana spumam faciant. Haec pellicula tenuis epitaxialis iacuit. Fere omnes machinae carbidae pii in materia epitaxiali e......
Lege plus