Chip fabricandis: Processus fluxus MOSFET

Processus fabricationis chippis includit photolithographiam,etching, diffusio, tenuis pellicula, ion implantatio, chemica mechanica expolitio, purgatio, etc. Hic articulus dure explicat quomodo hi processus in ordine ad MOSFET efficiendi integrantur.

1.We primum habentdistentcum puritate Pii usque ad 99,9999999%.

2. Iaculum oxydatum cinematographicum in crystallo Pii substrato Cresce.

3. Spina tunica photoresist aequaliter.

4.Photolithographia conficitur per photomascum transferendi exemplar in photomask ad photoresist.

5. Photoresista in spatio photosensitivo post evolutionem abluitur.

6. Etch cinematographicum oxydatum a photoresist per etching non obtectum, ita ut exemplar photographicum ad exemplar transferatur.laganum.

7. Tersus et excessus photoresist remove.

8. Applicare aliam tenuioremcadmiae film. Deinde, per photolithographiam et engraving, solum oxydatum cinematographicum in area portae retinetur.

9. Polysilico iacuit crescere super eum

10. Ut in gradu 7, photolithographia utere et adsculpere ad solum polysilicon in porta oxydi strati custodiendum.

11.Cover stratum oxydatum et porta a photolithographia purgans, ita ut totum laganum sitcandum plantavitet ibi erit fons et exhauriet.

12. Tegumen movendi in lagana insulating crescere.

13. Etch contactum foraminum fontis, portae et exhaurire per photolithographiam et engraving.

14. Deinde metallum depositum in area signata, ita ut filis metallica conductiva ad fontem, portam, et exhauriant.

Denique MOSFET completa per varios processus conficitur.

Re vera, stratum imum spumae ex magno transistorum numero componitur.

MOSFET vestibulum tabula, fons, porta, drain

Varii transitores efficiunt logicam portas

Logica portae arithmeticae formant unitates

Denique chip est magnitudo digiti