Silicon Carbide Wafer cymba ad fornacem Horizontalem

VeTek Semiconductor opificem professionalem et elit in Sinis est pro carbide lagani pii fornacis horizontalis, annis experientiae in R&D et productione, qualitatem bene moderari et pretium competitive offerre potest. Certo certius potes emere naviculam lagani carbidam Pii ad fornacem horizontalem a nobis.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Navicula lagani carbidi Siliconis altae qualitatis pro fornace horizontali a Sinis fabricante VeTek semiconductor offertur. Emptum laganum Siliconis laganum pro fornace horizontali quae optimum est directe ab officina humili pretio.Silicon carbide laganum navigium pro fornace horizontali in tubulis fornacibus adhibetur ad onerandas et lagana transferendi in curationibus calidissimus. Ob egregias proprietates carbidi pii materiae ut resistentia caliditas, resistentia chemica corrosio, et stabilitas thermarum, late in variis processibus curationis caloris adhibentur ut diffusio, oxidatio, CVD et furnum.

Navicula lagana silicon carbide ad fornacem horizontalem e materia carbide pii facta et notas habet sequentes:

1. Alta duritia et resistentia: Pii carbide habet duritiem secundum solum adamantem, et facit eam valde repugnantem. Hoc concedit carbida Pii scapha ut crebris impactibus mechanicis et frictioni resistat, vitam suam extendens.

2. Resistentia caliditas calidissima: carbida Silicon punctum liquescens 2730°C habet, naves carbidas pii faciendas aptas ad culturas summus temperaturas et varios processus fabricationis semiconductores, ut oxidatio summus temperatura et diffusio.

3. Minimum scelerisque dilatatio coefficiens: carbida Silicon humilem coëfficientem expansionem scelerisque habet, quae firmitatem dimensionalem in calidis temperaturis conservare adiuvat, ne deformatio navigii et lagani subtiliter processus afficiens.

4. Bona stabilitas chemica: Silicon carbida maxime chemicis resistit et cum solutionibus acidis et alkaline communi non agit, salutem et munditiam laganae procurans.

Varias figuras fabricare possumus naviculam lagani siliconis carbidam qualia sunt navicula lagana horizontalis, navicula lagana verticalis, et quaevis alia navigia amet.

Utimur alta puritate recrystallized pii carbide cum infra parametris;

Corporalia proprietates Pii Carbide Recrystallized
Property	Typical Value
Opus temperatus (°C)	1600°C (cum oxygenio) 1700°C (reducing environment)
SiC content	> 99.96%
Free Si content	< 0.1%
mole densitatis	2.60-2.70 g/cm3
Apparens poros	< 16%
Cogo vires	> DC MPa
Frigus inflexio virium	80-90 MPa (20°C)
Calidum inflexio virium	90-100 MPa (1400°C)
Scelerisque expansion @ MD°C	4.70 10-6/°C
Scelerisque conductivity @1200°C	23 W/m•K
Modulus elasticus	240 GPa
Scelerisque inpulsa resistentia	perquam bonum