TaC Coating Guide Orbis

Sicut ducens opificem TaC Coating Guide Ringorum in Sinis, VeTek Semiconductor TaC ductor annuli in MOCVD cotetis magni ponderis sunt, accurate et stabilis procurans partus gasi in incremento epitaxiali, et sunt necessaria materia in semiconductori epitaxiali augmento. Grata consule nobis.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Munus TaC Coating Guide Annuli:

Depressa Gas O Imperium: TheTaC Coating Guide Ringopportune collocatur in Gas iniectio systemaMOCVD reactor. munus eius primarium est gasorum praecursoris fluxum dirigere et per superficiem laganum subiectam uniformem distributionem curare. Haec definita potestas in dynamicos fluxus gasi essentialis est ad obtinendum incrementum epitaxial uniforme cum augmento et exoptatis materialibus proprietatibus.

Scelerisque Management: TheTaC Coating Guide Rings saepe operatur in temperaturis elevatis propter propinquitatem ad susceptorem calefactum et subiectum. Praeclarum scelerisque conductivity TaC adiuvat efficaciter calorem dissipare, ne calefactionem localem retineat et in zona reactionis profile temperatura stabili conservetur.

commoda TaC in MOCVD:

Extrema Temperature Resistentia: TaC gloriatur unum ex altissimis punctis liquescentibus inter omnes materias excedentes 3800°C.

Chemical Inertness Outstanding: TaC repugnantiam eximiam ostendit corrosioni et chemicae oppugnationis e gasorum reactivo praecursoris in MOCVD adhibitis, ut ammonia, silana, variae compositiones metallo-organicae.

Corporalia proprietatesTaC coating:

Corporalia proprietatesTaC coating
Densitas	14.3 (g/cm³)
Imprimis emissivity	0.3
Scelerisque expansion coefficientes	6.3*10^-6/K
Duritia (HK)	2000 HK
Resistentia	1×10^-5Ohm* cm
Scelerisque status	<2500℃
Graphite magnitudine mutationes	-10~-20um
Crassitudo coating	≥20um valorem typicum (35um±10um)

Beneficia pro MOCVD euismod:

Usus VeTek semiconductor TaC Coating Guide Ring in apparatu MOCVD signanter confert ad:

Auxit Equipment Uptime: Durabilitas et extensio vitae TaC Coating Guide Ring opus reducere crebris supplementis, minimis sustentationem downtime et maximising efficientiam operationis systematis MOCVD.

Processus Consectetur stabilitas: Thescelerisque stabilitas et chemica inertia TaC conferunt ad reactionem stabiliorem et moderatam ambitum intra MOCVD cubiculi, processus variationes obscuratis et reproducibilitas melioris.

Improved Epitaxial Layer Uniformity: Praecisa Gas fluxus imperium faciliorem reddere per TaC Coating Guide Annuli praecursorem uniformem efficit distributionem, unde in altus uniformisaccumsan incrementum epitaxialcum crassitudine et compositione constantem.

Tantalum carbide (TaC) coatingin minimum crucis-sectionem:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1