Sinae Pii Epitaxy fabrica, supplementum, Factory

Pii Epitaxy, EPI,Epitaxy, Epitaxial refert incrementum cristalli cum eodem cristallo directum ac crassitudines crystallinae in unico cristallino pii distento. Incrementum epitaxiale requiritur ad fabricam semiconductoris discretorum componentium et circuitus integrales, quia sordes in semiconductoribus contentae N-type et P-type includuntur. Per compositiones diversorum generum, semiconductorium machinae varias functiones exhibent.

Pii epitaxia incrementum methodi in gasi epitaxiam periodum dividi potest, epitaxy phase liquida (LPE), periodus solidi epitaxy, vapor chemicus depositionis incrementum methodus late in mundo usus est ut ob cancellos integritas occurrat.

Silicon epitaxiale typicum instrumentum societatis Italicae LPE repraesentatur, quod subcinericium epitaxialem hy pnotic tor, dolii genus hy pnotic-tor, semiconductor hy pnotic, laganum ferebat et sic porro. Schematicum schematismus de dolio formatum epitaxiale per pelector reactionem cubiculi talis est. VeTek Semiconductor laganum laganum epitaxialem per pelectorem dolium praebere potest. Qualitas SiC obductis HY pelectoribus valde matura est. Qualitas aequivalens SGL; Eodem tempore, VeTek Semiconductor etiam potest praebere reactionem epitaxialem siliconis cavum vicus collium, vicus Baffle, metretam campanam et alia producta integra.

Vertialis Suceptor Epitaxialis pro Epitaxy Pii:

Pii Epitaxial Suceptor Ferocactus genus Wafer Susceptor Semiconductor Susceptor Sic iactaret Susceptor

Horizonalis Suceptor Epitaxialis pro Epitaxia Pii:

Si Epitaxial Susceptor Pancake Susceptor Sic iactaret susceptor