Products

View as

SiC Coated Pancake Susceptor pro LPE PE3061S 6'' Wafers

VeTek Semiconductor principalem Susceptorem Pancake SiC Coated pro LPE PE3061S 6'' laganum opificem et innovatorem in China. Proprietati sumus in materia tunica SiC per multos annos. Subcinericium susceptorem LPE PE3061S 6" lagana specialiter designatum praebemus. . Haec epitaxialis susceptoris notae altae corrosionis resistentiae, conductionis caloris bonae operationis, bonae uniformitatis. Gratamus te ut officinam nostram in Sinis visitare.

Lege plus Mitte Inquisitionem

SiC Coated Support LPE PE2061S'

VeTek Semiconductor princeps SiC Coated Support pro LPE PE2061S fabricator et innovator in China. Specializati sumus in materia coating SiC per multos annos. Auxilium SiC Coated LPE PE2061S pro LPE reactori epitaxy speciali designatum praebemus. Hoc SiC Coated Support pro LPE PE2061S est fundum dolii susceptor. Potest sustinere 1600 gradus Celsius caliditas caliditas, extend productum vitae graphitae parce part.

Lege plus Mitte Inquisitionem

SiC Coated Top Plate pro LPE PE2061S

VeTek Semiconductor princeps SiC Coated Top Plate pro LPE PE2061S fabricator et innovator in China. Propria materia in SiC coating multos annos habemus. Offerimus SiC Coated Top Plate pro LPE PE2061S nominatim pro LPE silicon epitaxy reactor. Hoc SiC Coated Top Plate pro LPE PE2061S summum est simul cum dolio susceptor. Haec CVD SiC bractea iactat altam puritatem, optimam scelerisque stabilitatem, et uniformitatem, idoneam ad epitaxialem stratis crescendi qualitatem faciens. Gratamus te ut nostras officinas visites. apud Sinas.

Lege plus Mitte Inquisitionem

SiC Coated Ferocactus Susceptor pro LPE PE2061S'

VeTek Semiconductor princeps SiC Coated Barrel Susceptor LPE PE2061S fabricator et innovator in China. Proprium in materia SiC coating nos per multos annos offerimus. Dolium susceptorem SiC coated susceptorem LPE PE2061S 4'' lagana specialiter designatum praebemus. Haec susceptoris lineamenta durabilem siliconis carbidam efficiunt quae in LPE (Liquid Phase Epitaxy) processum auget ac diuturnitatem.

Lege plus Mitte Inquisitionem

Gas imbrem caput solidum Sic

VeTek Semiconductor solidus SiC Gas Shower Capitis opificem et innovatorem in China. Proprium est in materia semiconductoris per multos annos.VeTek Semiconductor Solidus SiC Gas Shower Capitis multi- porositas efficit ut calor generatus in CVD processu dispergi possit. cupimus ut subiectum calefiat aequaliter. Expectamus diuturnum tempus constituere vobiscum in Sinis.

Lege plus Mitte Inquisitionem

Chemical Vapor Depositio Processus Firmus SiC Edge Ring

VeTek Semiconductor est ducens Vaporem Chemicum Depositio Processus solidi SiC Edge Ring fabrica et innovator in China. Proprium est in materia semiconductor per multos annos.VeTek Semiconductor solidum Sic ore anulum praebet meliorem etching uniformitatem et laganum praecisum positione cum usus cum chuck electrostatic Exspectamus constantem ac firmum etching results. Expectamus ut diuturnum tempus socium tuum in Sinis fieri oporteat.

Lege plus Mitte Inquisitionem

<...6 7 8 9 10 >