- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Tantalum carbide technicae rupturae, SiC pollutio epitaxialis reducta per 75%?
Nuper institutum investigationis Germanicae Fraunhofer IISB in investigatione et progressu technologiae tantalum carbide efficiens eruptionem fecit, et solutionem elisam efficiens quae flexibilior et environmentally- amica est quam solutio CVD depositionis et mercatoriae facta est.
Lege plus
Investigationis applicatio 3D technologiae excudendi in semiconductori industria
In cursu technologico celeri, 3D impressio, ut magni momenti repraesentativum technologiae fabricandae provectae, paulatim faciem mutans traditionis fabricationis. Continua technologiae maturitas et sumptuum reductione, 3D technologiae typographiae late patentes expectationes in multis campis ostend......
Lege plus
Pii (Si) epitaxy apparatio technologiae
Singulae materiae cristallinae solae non possunt occurrere necessitatibus productionis variarum semiconductorium machinarum crescentium. In fine anni 1959, tenui iacuit technologiae materiae unius crystalli incrementum - epitaxiale incrementum amplificatum est.
Lege plus
Ex VIII inch pii carbide una crystalli incrementum fornacem technology
Carbida Pii una est ex materia optima ad faciendum summus temperatus, summus frequentia, summus potentiae et altae intentionis machinas. Ut ad efficiendam efficientiam et impensas meliores redigantur, praeparatio magnae magnitudinis pii subiectae carbidi magni ponderis directionis evolutionis est.
Lege plus
