ALD Atomic Layer Depositio Recipe

ALD . locus, situaliter separatim nuclei iacuit depositio. laganum inter diversas positiones movet et diversis praecursoribus in singulis positionibus exponitur. Figura infra est comparatio inter traditiones ALD et spatio distantes ALD.

Temporal ALD,ex tempore separatim atomi iacuit depositio. laganum certum et praecursores alternatim introducuntur et in conclave removentur. Haec methodus in aequiore ambitu laganum procedere potest, eoque meliori eventus, ut meliore temperamento plurium criticorum rationum. Figura infra est schema schematicum Temporalis ALD.

Siste valvae, valvae proximae. Communiter in，Recipes, valvae vacuo sentinarum claudere solebant, vel valvae clausurae vacui sentinae aperiendae.

Praecursor, praecursor. Duo vel plura, singula elementa cinematographici desiderati depositi, in superficie subiecta alternant, uno tantum tempore praecursore, ab invicem independenti. Quaelibet praecursor saturat superficiem subiectam ad monolayum formandum. Praecursor videri potest in figura infra.

Purga, quae etiam purgatio dicitur. Communis gas purgant, purga gas.Depositio nuclei accumsanest modus deponendi membranas tenues in stratis atomicis ponendo duos vel plures reactantes in cubiculum reactionem sequentem ad membranam tenuem formandam per compositionem et adsorptionem cuiusque reactantis. Hoc est, prima reactio gasi modo pulsante ad chemicam intra conclave depositum praebetur, et physice religata residua primum gasi reactionem purgando tollitur. Deinde, secundus motus gasi etiam chemicum vinculum cum prima reactione gas partim per pulsum et processum purgandum efficit, desideratum cinematographicum in substratum deponit. Expurgata videri potest in figura infra.

Cycli. In strato atomico processus depositionis, tempus uniuscuiusque reactionis gasi pulsandi et purgandi semel dicitur cyclus.

Atomic Layer Epitaxy.Alius terminus iacuit atomi depositionis.

Trimethylaluminum, abbreviated as TMA, trimethylaluminum. In strato atomico depositionis, TMA saepe pro praecursore ad Al2O3 formandum adhibetur. Communiter TMA et H2O formant Al2O3. Praeterea TMA et O3 formant Al2O3. Figura infra diagramma schematicum est depositionis Al2O3 strato atomico, TMA et H2O utendo ut praecursoribus.

3-Aminopropyltriethoxysilane, ut APTES, 3-aminopropyltrimethoxysilanum. Innuclei iacuit depositio, APTES saepe ponitur pro praecursore ad formam SiO2. Communiter APTES, O3 et H2O formant SiO2. Figura infra est schematismum APTES.