Articulus hic describit quod substratum ducatur maximam applicationem sapphiri, ac methodos praecipuas parandi crystallos sapphiri: sapphiri crystallis per methodum Czochralski crescendi, sapphiri crystallis per methodum Kyropoulos crescendo, sapphiri crystallis crescendo per modum ducti formarum, a......
Lege plusArticulus hic maxime describit technologiam epitaxialem humilem temperaturae, incluso crystalli structurae materiarum GaN-fundatae, 3. technologiae epitaxiales requisita et solutiones exsecutionis, commoda technologiae humilitatis epitaxialis secundum PVD principia, et progressus prospectus humilis-......
Lege plus