Quid est graphita porosa summus puritas? - Vetek

Superioribus annis, exsecutio requisita pro viribus electronicis cogitationibus energiae, consummationis, voluminis, efficientiae, etc., magis magisque altiores facti sunt. SiC ampliorem fasciam, altiorem campi naufragii vires, scelerisque conductivity altiorem, mobilitatem electronici saturatam altiorem, stabilitatem chemicam altiorem, quae defectus materiae semiconductoris traditionalis supplet. Quomodo efficaciter crystalla crescant et in magna scala semper difficile fuerit problema, et introductio summae puritatis.raro graphitein annis efficaciter melius qualis estAndcunum cristallum incrementum.

Proprietates physicae typicae semiconductoris VeTek graphitae porosi:

Summus puritas graphita porosa pro SiC unicum cristallum incrementum a PVT methodo

Ⅰ. PVT methodo

PVT methodus est principalis processus crescendi SiC una crystallis. Processus fundamentalis incrementi crystalli SiC dividitur in sublimationem compositionis materiarum rudium ad caliditatem, translationem gasi phase substantiae sub actione gradientis caliditatis, et recrystallizationis incrementi gasi Phase substantiarum in semine crystalli. Ex hoc, uasculum interius in tres partes dividitur: materia rudis, cavitatis incrementum et crystallum semen. In materia rudis area, calor transfertur in modum conductionis scelerisque radiorum et caloris. Post calefactionem materiae crudae maxime dissolutae sunt ab his profectae;

AndC(s) = Si(g) + C(s)

2SiC(s) = Si(g) + SiC'₂(g)

2SiC(s) = C(s) + Si*₂C(g)

In area materia rudis, temperatura a vicinitate parietis uasculi usque ad superficiem materialem rudis decrescit, id est, extremam materiam rudis temperatus > internae temperationis rudis materialis superficiei rudis, inde in graduum axialium et radialium temperatura. cuius amplitudo maiorem in crystallo incrementum habebit. Sub actione clivi temperatoris suprascripti, materia rudis scribere incipiet iuxta murum uasculi, inde in mutationes fluxus materialis et porositatis. In thalamo augmento, substantiae gaseae in materia rudi generatae areae ad semen crystalli positio a clivo temperatura axialis agitata deportantur. Cum superficies craticulae graphitae non obtegitur peculiari membrana, substantiae gaseae cum superficie uascula ferant, graphiticam graphitam corroderent, mutato C/Si ratione in thalamo augmenti. Calor in hac provincia maxime transfertur in forma radiorum scelerisque. In situ seminis crystalli, substantiae gaseae Si, Si2C, SiC2, etc. in thalamo augmenti sunt in statu oversaturated propter humilitatem temperaturae in semine crystalli, et depositio et incrementa fiunt in semine cristalli superficiei. Praecipuae profectae sunt hae:

And₂C (g) + Sic₂(g) = 3SiC (s)

And (g) + Sic₂(g) = 2SiC (s)

Applicationem missionibussummus puritatis porosum graphite in uno crystallo SiC incrementumfornaces in vacuo vel pigro gas ambitus usque ad 2650°C:

Secundum investigationem litterarum litterarum, summus puritas graphita porosa valde prodest in incremento SiC unius crystalli. Unius crystalli SiC incrementi ambitum comparavimus cum et sinesummus puritatem raro graphite.

Variatio temperaturae in linea centri uasculi duarum structurarum cum graphite poroso et sine

In materia rudis area, summum et imum temperatum differentiae duarum structurarum inter se sunt 64.0 et 48.0 . Summum et imum temperatura differentia summi puritatis porosum graphite est relative parvum, et temperatura axialis magis uniformis est. In summa, summus puritatis graphites raris, primum locum tenet caloris insulationis, quae altiorem temperiem rudium materiarum auget et temperatura minuit in gazophylacium incrementi, quod conducit ad plenam sublimationem et compositionem materiarum rudium. Eodem tempore axialis et radialis temperatura differentiae in materia rudis areae rediguntur et aequalitas temperaturae internae augetur. Crystallina sic adiuvat cito et aequaliter crescunt.

Praeter effectus temperatus, summus puritas graphite porosum mutabit rate gas fluxus in uno fornace crystalli SiC. Hoc maxime reflectitur in eo quod graphite porosum summus puritatis materialem rate in ore fluere retardabit, eoque stabiliendo ratem gasi in incremento unius crystalli SiC.

Ⅱ. Partes altae puritatis graphitae rari in SIC unius cristalli incrementi fornacem

In SIC una cristalli incrementi fornax cum graphite poroso purissimo, oneratio materiae restringitur a graphite poroso purissimo, interface valde uniforme, et nulla ora inflexionis ad incrementum interfaciei. Autem, incrementum crystallorum SiC in SIC unum cristallum incrementum fornax cum summus puritatis graphite rarior est relative tardus. Ideo, pro cristallo interface, introductio graphite rarioris puritatis summus efficaciter supprimit ratem fluens materiales altas quae ab ore graphitizationis causantur, ita ut crystallum SiC uniformiter crescant.

Mutationes interfaciei temporis durante SiC singulare cristallinae incrementum cum et sine summa puritate graphite poroso

Ergo, summus puritatis porosum graphite est efficax medium ad emendare incrementum environment SiC crystallis et optimize crystalli qualitas.

Rara graphite laminam typicam usus est forma graphite rari

Schematica schematismi SiC singularis praeparationis crystallini utens laminam graphiticam raritatem et modum PVTCVDAndcrudis materiaex VeTek Semiconductor

VeTek Semiconductoris utilitas in eius valido technico iunctione et praestanti servitii manipulo iacet. Secundum necessitates vestras, sartor idoneus possumushsummus puritasraro graphiteproducta pro vobis ad adiuvandum vos magnas progressus et commoda in SiC uno crystallo incrementum industria facimus.