Princeps Puritas Porous Graphite

Princeps Puritas Graphite Porous a VeTek Semiconductor provectus est materia processus semiconductoris. Materia carbonis puritatis altae efficitur cum conductivity scelerisque praestantibus, stabilitate chemica bona et viribus mechanicis praestantibus. Haec princeps Puritas Porous Graphite magnas partes agit in processu progressionis unius crystalli SiC. VeTek Semiconductor committitur ad comparandas res qualitates in pretiis competitive, et expectat ut particeps tua diuturna in Sinis fiat.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Qualitas princeps VeTek Semiconductor Purity Porous Graphite princeps oblatus est a fabricante Sinarum VeTek Semiconductor. Emptum VeTek Semiconductor Puritatis High Graphite Porous, quod est optimum directe cum parvo pretio.

VeTek Semiconductor Princeps Puritatis Porous Graphite est magisterium materiarum caloris resistentium, potest sustinere extremas temperaturas intra fornaces semiconductores inventas. Durabilitas et longitudo superior eius pauciores supplementum et minus tempus significat, inde in summa peculi supra tempus.

Maximum puritatem graphitam porosam fabricamus ex fontibus carbonis notis supremis qualitatis, ut minimas immunditias et minimas contagionis periculum efficiamus. Altissima haec puritas significat altiorem cedit et superior semiconductoris fabrica perficiendi.

Elige Graphite Porous High Puritas, ubi eximia eius scelerisque stabilitas congruentem effectum efficit, ut specimen criticae processus semiconductoris efficiat.

Upgrade fabricando semiconductorem tuum hodie ut puritate raris graphitis alta utatur - materia quae mutatur modo technologiam crastinae fabricamus. Contactus nos hodie ad vestras specificas necessitates discutiendas et iter innovationis in semiconductore fabricando conscendere. Collaborandum est ut semiconductorem superiorem futurum fabricam efficiat!

Product parametri Altissimi Puritatis Porous Graphite

Typicam physicam proprietatibus raris graphite
ltems	Parameter
mole densitatis	0.89g/cc
Compressive vires	8.27 MPa
vires tendentes	8.27 MPa
Distrahentes fortitudo	1.72 MPa
Imprimis resistentia	130Ω-inX10-5
Porosity	L%
Mediocris porum magnitudine	70um
Scelerisque conductivity	12W/M*K