CVD TaC Coating Crucible

VeTek Semiconductor fabricator professionalis et dux CVD TaC Coating Crucibiles in Sinis est. CVD TaC Coating Crucible in tantalum carbonis (TaC) coating fundatur. Tantalum carbonis tunica aequabiliter in superficie uasculi per depositionis chemicae vaporum (CVD) processum ad augendam resistentiae et corrosionis resistentiam augendam. Materia est instrumentum speciale adhibitum in ambitus caliditatis extremae. Excipe ulteriorem consultationem tuam.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

TaC Coating Rotatione Susceptor partes clavem agit in processibus depositionis caliditatis ut CVD et MBE, et est magna pars pro lagano in vestibulum semiconductoris processus. Inter eos;TaC CoatingOptima caliditas resistentia, corrosio resistentia et stabilitas chemicae, quae altam praecisionem et qualitatem in lagano processui praebet.

CVD TaC Coating Crucible plerumque ex TaC Coating andgraphitedistent. Inter eos, TaC est materia Ceramica punctum liquescens altum cum puncto liquescens usque ad 3880°C. Est durities altissima (Vickers durities usque ad 2000 HV), resistentia corrosionis chemica et resistentia valida oxidationis. Ergo TaC Coating est optimum caliditas resistens materia in semiconductor processus technicae artis.

Substratum graphite bonum conductivity scelerisque (conductivity scelerisque circa 21 W/m·K) et praestantem stabilitatem mechanicam habet. Hoc proprium determinat quod graphite fit specimen efficiensdistent.

CVD TaC Coating Crucible maxime in his semiconductoris processus technologiae usus est:

Azymum vestibulum: VeTek Semiconductor CVD TaC Coating Crucible optimum caliditatis resistentiam habet (punctum liquescens usque ad 3880°C) et resistentiam corrosionis, ideo saepe in lagano processibus fabricandis clavis adhibitis ut vapor caliditatis depositionis (CVD) et incrementi epitaxialis. Composita cum praestantissima stabilitate structurae producti in ambitibus caliditatis ultra-calidis, efficit ut instrumentum diu stabiliter operari possit sub asperrimis condicionibus, ita efficaciter ad augendam efficientiam et qualitatem laganae productionis.

Processus epitaxialis incrementum: In processibus epitaxialibus utvapor chemicus depositio (CVD)et trabs hypothetica epitaxy (MBE), CVD TaC Coating Crucible munere funguntur clavis in portandis. Eius TaC Coating non solum altam puritatem materiae conservare sub nimia temperie et atmosphaera corrosiva potest, sed etiam efficaciter impedire contagionem reactantium in materia et corrosione reactoris, ut accuratam de processu producendi et de facto constantiam obtineat.

Sicut Sinarum ducens CVD TaC Coating Crucible fabrica et princeps, VeTek Semiconductor potest providere producta et technica officia nativus secundum tuum apparatum ac processum requisita. Sincere optamus nos participes facti tui longi temporis in Sinis.

Tantalum carbide (TaC) efficiens microscopic cross-sectioni：

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1

Corporalis proprietatibus TaC coating：

Corporalis proprietatibus TaC coating
Densitas	14.3 (g/cm³)
Imprimis emissivity	0.3
Scelerisque expansion coefficientes	6.3*10-6/K
Duritia (HK*	2000 HK
Resistentia	1×10-5 Ohm*cm
Scelerisque status	<2500℃
Graphite magnitudine mutationes	-10~-20um
Crassitudo coating	≥20um valorem typicum (35um±10um)