4H N-genus SiC Substratum

Vetek Semiconductor4H N-genus SiC SubstratumProducta optimas habent proprietates electricas, scelerisque et mechanicas, ergo hoc productum late adhibetur in processu semiconductoris machinarum quae altam potentiam, altam frequentiam, caliditatem et altam constantiam requirunt.

Naufragii campi electrici roboris 4H N-type SiC tam alta est quam 2.2-3.0 MV/cm. Productum hoc pluma permittit ut minorum machinarum fabricare voltages superiores tractet, itaque nostra 4H N-type SiC Substratum saepe MOSFETs, Schottky et JFETs fabricare consuevit.

Sceleris conductivitas 4H N-type SiC Wafer circiter 4.9 W/cm·K est, quae adiuvat ad calorem dissipandum efficaciter, cumulum caloris minuendum, vitam fabricam extendunt, et ad densitatem applicationum altae potentiae apta est.

Praeterea Vetek Semiconductor 4H N-typus SiC Wafer stabilis electronica in temperaturis usque ad DC°C adhuc habere potest, unde saepe sensoriis summus temperatus fabricare consuevit et ad extremas ambitus aptissima est.

Crescendo carbide siliconis epitaxialis iacuit in carbide n-type substrati siliconis, carbide silicon laganum homoepitaxiale ulterius in machinis potentiae fieri potest ut SBD, MOSFET, IGBT, etc. tradendi -potestatis et transformationis, etc.

Vetek Semiconductor altiorem qualitatem crystallinam persequi pergit et qualitatem expediendi ut obviam mos postulo. Currently, both 6-inch and 8-inch products are available. Hi sunt ambitus producti fundamentales 6-inch et 8-inch SIC Substratum:

6 lnch N-type Sic Substrate BASIC FRUCTUS SPECIFICATIONS:

8 lnch N-type Sic Substrate BASIC FRUCTUS SPECIFICATIONS:

4H N-genus Sic Substrate Deprehensio Methodus et Terminology: