4° axis p-type SiC Wafer

Pro professionalis semiconductor fabricator in Sinis, VeTek Semiconductor 4° axis p-type SiC Wafer 4H refert carbidam silicon (SiC) lagana quae deviant 4° ab cristallo principali directione cristalli (plerumque c-axis) secantibus et subire P-genus doping. Productum hoc adhiberi solet in fabricando potentiae electronicarum machinarum et crebris radiophonicis (RF) machinis in catena industriae semiconductoris et commoda uberrimas habet.

Per axem sectionem, VeTek Semiconductoris 4° axis p-type SiC Wafer efficaciter potest reducere dislocationes et defectus generatorum in incremento iacuit epitaxialis, eo quod lagani qualitatem auget. Praeterea, 4° Off-Axis orientationis adiuvat ut magis uniformis et defectus epitaxialis iacuit crescat, qualitatem tabulae epitaxialis ampliat et plerumque aptae ad altae machinis faciendorum fabricam pertinet.

Praeterea VeTek Semiconductoris 4° axis p-type SiC Wafer producta laganum plus foraminis habere potest et formare semiconductorem P-typum per immunditias accipientis (ut aluminium vel boron). lagana P-type 4H-SiC saepe adhibita sunt in fabrica potentiarum machinis quae stratum P-typum requirunt. Hoc genus semiconductoris electricas proprietates optimas habet.

Comparari cum aliis polymorphs ut 6H-SiC;4H-SiCMobilitas electronica altiorem et naufragii vim electrici campi habet, et ad missiones altae frequentiae et potentiae altae apta est. Praeterea materias 4H-SiC optimae altae intentionis et caliditatis resistentiae habent, et in ambitus asperos regulariter laborare possunt.

2inch 4inch 4 ° off axis p-genus SiC Wafer Size relatas signa：

6 inch 4 ° off axis p-type SiC Wafer Size relatas signa：

4° axis p-type SiC Wafer Deprehensio modi et terminology：

VeTek Semiconductor iam 4 ° off axis p-genus 4H-SiC subiectae 2-6 pollices.Subiectum aluminio teritur et caeruleum apparet. vagatur resistivity ab 0.1 ad 0.7Ω•cm. 

Si productum requisita pro 4° off axis p-type SiC Wafer, salve ad nos consulendum.