Pii carbide tellus efficiens graphite calefacientis

VeTek Semiconductor Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heateroptimam electricae et scelerisque conductivitatis graphitae cum caliditate resistentiae, corrosioni resistentiae et resistentiae de Pii carbonis ceramicae tunicae resistentia componit et ad duras ambitus culturae semiconductoris destinatur. 

Pii carbide ceramic coating graphite calefacientismaxime adhibentur in apparatu vacuo (evaporationis) et methodi communiter adhibitae sunt PCD (Plasma chemical exsiccatio) et PVD (depositio vapor corporis). Productum hoc munus magni ponderis egit in progressu technologico promovendo et ad efficientiam in semiconductoris industria productionis emendandam.Nos sincere expectamus adhuc cooperante cum.

Materiae et structurae notae Siliconis Carbide Ceramicae Coating Graphitae calefacientis haec sunt:

Graphite distent: Graphite notus est propter altitudinem scelerisque conductivity et humilis scelerisque expansionem coefficiens. Cito respondere potest ad mutationes temperaturas et structuram stabilitatem in calidis temperaturis ponere.

Pii carbonii ceramic coating: SIC vestitur aequaliter in superficie graphite obducta per vaporum chemicorum depositionem vel alios processus provectiores. SiC valde altam duritiem habet et resistentiam chemicae corrosionis, quae graphiticam subiectam ab oxidatione et ambitus mordax summus temperaturas tueri potest.

Specialis producti structuralis consilium Siliconis Carbide Ceramic Coating Graphite Heater decernitpernecessarium productum commoda huius producti in semiconductor processui processus:

Efficiens et uniformis calefactio:

Scelerisque conductivity: Princeps scelerisque conductivity graphite dat calefacientem ut cito perveniat et servet debitam temperiem, et SiC efficiens uniformem caloris distributionem efficit. Hoc maxime interest pro processibus semiconductoribus qui exactam temperaturam moderaminis requirunt, ut processus scelerisque celeris (RTP) et vaporum chemicorum (CVD).

Temperatus uniformitas: Per uniformem caloris distributionem, Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Calefactum efficaciter reducere potest accentus scelerisque et clivi temperatus, ut constantiam et qualitatem stabilitatis laganae semiconductoris in toto processu calefactionis obtineat.

Anti- corrosio praesidium:

Resistentia chemica: Resistentia chemica corrosio SiC coating dat calefacientem ad stabiliter et diu operandum in ambitibus corrosivis gas et chemicis, vitando damnum graphite subiectum. Haec pluma praesertim critica est in processibus sicut depositio vaporis chemici (CVD) et plasma depositionis chemicae auctus (PECVD).

Repugnantia oxidatio: Ad altum temperaturas, SiC coating potest impedire oxidatio graphite subiecta, servitium vita calefacientis extendere, et reducere frequentiam et sumptus armorum sustentationem.

Redigendum particulam contagione:

Superficies stabilitas: SiC tunica non solum obsistens, sed etiam vetat particulas ne defluant superficies materiales ob motus cycli aut chemici motus, minuendo periculum particulae contaminationis, quae in fabricandis semiconductoribus evenire potest, et altae munditiae processum environment procurans.

Improve processus reliability et efficientiam:

Longum vitae consilium: Ob iuncturam vi mechanicae graphitae et indumentum resistentiae SiC coating, Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater summus efficientiam operationem ponere potest diu sub dura condicione condiciones, insigniter meliore altiore firmitatis apparatum.

Effectus industria utendo: Princeps scelerisque conductivity graphite et summus temperaturae stabilitas SiC efficiens efficiat calefacientem ad consummationem energiae reducendam dum accurationem temperaturae moderabitur, ita ut altiorem efficientiam semiconductoris productionis augeat.

Basic physica ofSilicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater:

VeTek SemiconductorSilicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heatertabernae:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry catena:

/Alius processus