Sic imber caput

VeTek Semiconductor princeps SiC Shower Capitis opificem et innovatorem in China. Proprium in materia SiC per multos annos designatum est. SiC Shower Caput electum est ut materia anulus positus ob excellentem firmitatem thermochemicam, altam vi mechanicam et resistentiam ad plasma exesa. . Expectamus ad longum tempus socium in Sina fieri.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Certus es quiescere potes a officina nostra caput emere SiC Shower.

Materiae carbidae Silicon unicam compositionem praestantium possessionum scelerisque, electricae et chemicae habent, easque aptas ad applicationes in industria semiconductoris conficientes, ubi materias summus perficientur requiruntur.

VeTek Semiconductoris revolutionalis technologiae dat productionem Capitis Showentis SiC, materialis carbidi ultra-altae puritatis pii creatae per processum Depositionis chemicae vaporis.

Imber SiC Caput crucial elementum est in fabricando semiconductore, specifice ad systemata MOCVD, epitaxiae pii, et processuum epitaxiae SiC. Ex carbide silicone solido robusto factum (SiC), haec pars extremas condiciones plasmatis processus et applicationes altae temperaturae sustinere potest.

Silicon carbide (SiC) notum est propter suam conductivity altam scelerisque, corrosionis chemica resistentiae, et eximiis viribus mechanicis, faciens illam materiam molendini SiC quasi specimen capitis SiC. Gas imber caput efficit etiam distributionem vaporum processuum super superficiem laganum, quod est essentiale ad producendum stratis epitaxialibus summus qualitas. Focus annulorum et anulorum in ore, saepe ex CVD-SiC factis, distributionem plasmatis aequabilem conservare et cubiculum a contagione conservare, augere efficaciam et incrementum epitaxialis cedere.

Cum praecise gas fluxus dominii et proprietatibus materialibus praestantibus, Caput Imber SiC key est component in processui semiconductor moderni, applicationes provectos sustentans in epitaxy silicone et epitaxy SiC.

VeTek Semiconductor offert humilem resistivity sintered pii carbidi semiconductoris capitis imbrem. Facultatem habemus ad ingeniarius fectum et provectae materiae ceramicae adhibitis variis facultatibus singularibus.

Product parametrum Sic imber capitis:

Corporalis proprietatibus solidi Sic
Densitas	3.21	g/cm3
Electricity Resistivity	102	Ω/cm
Flexurae Fortitudo	590	MPa	(6000kgf/cm2)
Modulus	450	GPa	(6000kgf/mm2)
Vickers duritia	26	GPa	(2650kgf/mm2)
C.T.E.(RT-1000)	4.0	x10-6/K
Scelerisque Conductivity(RT)	250	W/mK