PSS Etching Portitorem Tab pro Semiconductor

VeTek Semiconductoris PSS Etching Carrier Plate pro Semiconductor est summus qualitas, ultra-pura graphita tabellarius ad laganum processum tractantem designatum. Nostri tabellarii optimam habent observantiam et bene praestare possunt in asperis ambitibus, calidis et duris conditionibus chemicis purgandis. Producta nostra late in multis mercatibus Europaeis et Americanis adhibita sunt, et expectamus longum tempus socium in Sinis fieri.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Cum fabrica professionalis, volumus tibi praebere altam qualitatem PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor. VeTek Semiconductoris PSS Etching Carrier Plate pro Semiconductor est propria pars usus in industria semiconductoris pro processu Plasma Source Spectroscopiae (PSS) etching. Haec lamina magnum munus gerit in sustinendo et portando lagana semiconductoris in processu etching. Gratum est nobis inquirere!

Res maiora:

Precision Design: Tabellarius lamina cum dimensionibus accuratis et planitudinis superficiei machinatus est ut uniformis et consistens engraving trans lagana semiconductoris. suggestum laganae stabilem et moderatum praebet, permittens ad certas et certas engraving proventus.

Plasma Resistentia: tabellio tabellionis repugnantiam praeclaram exhibet ad plasma adhibitum in processu etching. Infixus manet ab gasorum reactivo et energia plasmate magno, quod diuturnum servitutis vitam praestat et constantem observantiam.

Scelerisque Conductivity: Tabellarius bracteae praecipuae conductivity scelerisque ad calefaciendum generatum per etching processum efficienter dissipandum. Hoc adiuvat ad conservandam optimalem temperaturam moderandam et inhibet exustionem laganae semiconductoris.

Compatibilitas: The PSS Etching Carrier Plate designatus est compatibilis esse cum variis magnitudinibus lagani semiconductoris communiter in industria adhibitis, versatilitate et facilitate usus trans varios processus fabricandi.

Product parametrum PSS Etching Carrier Plate pro Semiconductor

Basicae physicae proprietates CVD SiC coating
Property	Typical Value
Crystal Structure	FCC β Phase polycrystallina, maxime (111) ordinatur
Density	3.21 g/cm³
duritia	MMD Vickers duritiem 500g onus
Frumenti amplitudo	2~10μm
Puritas chemica	99.99995%
Calor Capacity	640 J·kg-1·K-1
Sublimatio Temperature	2700℃
Flexurae Fortitudo	415 MPa RT 4-punctum
Modulus	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
Scelerisque conductivity	300W·m-1·K-1
Scelerisque Expansion (CTE)	4.5×10-6K-1