- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Products
- View as
Three-petal Graphite Crucible
VeTek Semiconductoris graphitarum trium petalorum Crucible speciale est vas speciale destinatum ad thermas tractandas materiae semiconductoris, praesertim ad productionem unius crystallorum. Partes vitalis exercet in incremento unius cristalli structurarum quae ad machinas semiconductoris fabricandas requiruntur. VeTek Semiconductor spectat ad longum tempus socium in Sinis fieri.
Lege plusMitte Inquisitionem
Plus purus Graphite inferior Halfmoon
VeTek Semiconductor primarius est supplementum nativus Ultra Pure Graphite Inferioris Halfmoon in Sinis, specialiter in materiis provectis per multos annos. Our Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon is specifically designed for SiC epitaxial equipment, efficiendi praestans praestans. Factus ex graphite ultra-puro importato, firmitatem et vetustatem praebet. Visita officinam nostram in Sinis ad explorandum qualitatem nostram GENERALIS Ultra Pure Graphite Inferioris Halfmoon Primae manus.
Lege plusMitte Inquisitionem
Superius Halfmoon SiC Coated
VeTek Semiconductor primarius est elit semismoon Superioris Partis SiC in Sinis custatam, specialiter in provectis materiis plus XX annis. VeTek Semiconductor Halfmoon Superioris Part SiC obductis specialiter destinatur pro instrumento epitaxiali SiC, inserviens cruciali componenti in camera reactionis. Factus e ultra-puro, semiconductor-gradus graphite, optimum effectum praestat. Te invitamus ut officinas nostras in Sinis visitare.
Lege plusMitte Inquisitionem
Pii Carbide Epitaxy Wafer Carrier
VeTek Semiconductor principalem nativus Silicon Carbide Epitaxy Wafer Portitorem in China. Proprium in materia provecta plus quam XX annos habemus. Offerimus Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier ad substratum SiC portandum, crescens stratum SiC epitaxium in reactor epitaxiali SiC. Haec Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier magna pars dimidiae partis SiC iactaret, resistentia caliditas, resistentia oxidationis, resistentia gerunt. Gratum est vos ut officinas nostras in Sinis visitare.
Lege plusMitte Inquisitionem
Princeps Puritas Porous Graphite
Princeps Puritas Graphite Porous a VeTek Semiconductor provectus est materia processus semiconductoris. Materia carbonis puritatis altae efficitur cum conductivity scelerisque praestantibus, stabilitate chemica bona et viribus mechanicis praestantibus. Haec princeps Puritas Porous Graphite magnas partes agit in processu progressionis unius crystalli SiC. VeTek Semiconductor committitur ad comparandas res qualitates in pretiis competitive, et expectat ut particeps tua diuturna in Sinis fiat.
Lege plusMitte Inquisitionem
SiC Coated MOCVD Susceptor
VeTek Semiconductoris Sic Coated MOCVD Susceptor est fabrica cum processu excellenti, firmitate et constantia. Possunt sustinere caliditas et chemicae ambitus, stabilem actionem et vitam longam conservare, inde frequentiam tortor et sustentationem reducere et efficientiam producendi augere. MOCVD Epitaxial Susceptor noster clarus est propter densitatem altam, planitiam excellentem et excellentem thermarum imperium, faciens illud praelatum apparatum in ambitus fabricandis asperis. Exspecto cooperatur.
Lege plusMitte Inquisitionem
